Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W NEXPERIA
Prekės kodas: NSF080120L3A0Q
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-07-17 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 29 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
NSF080120L3A0Q
Product ID
U-3792417
Case
TO247-3
Drain current
25A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
52nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
183W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF080120L3A0Q
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
