LEMONA

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A VISHAY

Prekės kodas: SQ1470AEH-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
1.14
5-24
0.48
25-99
0.43
100-499
0.38
500+
0.34
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

1.14
2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2996 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3733675
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SQ1470AEH-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SQ1470AEH-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQ1470AEH-T1-GE3
Product ID
U-3733675
Case
SC70
Drain current
1.7A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
5.2nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.115Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.3W
Pulsed drain current
6.7A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].