LEMONA

Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W IXYS

Prekės kodas: IXTQ130N20T
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
13.72
3-9
12.35
10-29
10.91
30+
9.80
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

13.72
2024-08-01 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-08-01 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra14 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W IXYS

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2215966
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IXTQ130N20T

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
IXTQ130N20T
Supplier's product code
IXTQ130N20T
Product ID
U-2215966
Case
TO3P
Drain current
75A
Drain-source voltage
200V
Features of semiconductor devices
thrench gate power mosfet
Gate charge
150nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
16mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
830W
Pulsed drain current
320A
Reverse recovery time
150ns
Technology
Trench™
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
IXYS
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].