LEMONA

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W VISHAY

Prekės kodas: SIB422EDK-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3116337
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SIB422EDK-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SIB422EDK-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIB422EDK-T1-GE3
Product ID
U-3116337
Drain current
9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
18nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
82mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
13W
Pulsed drain current
25A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].