Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A VISHAY
Prekės kodas: SIDR610DP-T1-RE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIDR610DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIDR610DP-T1-RE3
Product ID
U-3116358
Drain current
39.6A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
33.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
