Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W VISHAY
Prekės kodas: SIHB15N50E-GE3
Марка
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIHB15N50E-GE3
Case
D2PAK
Drain current
9.2A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
66nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.28Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
156W
Pulsed drain current
28A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHB15N50E-GE3
Product ID
U-3045810
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
