Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W VISHAY
Prekės kodas: SIHB35N60E-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIHB35N60E-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHB35N60E-GE3
Product ID
U-3045833
Case
D2PAK
Drain current
20A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
132nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
94mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
