LEMONA

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A VISHAY

Prekės kodas: SIR188DP-T1-RE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3116441
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SIR188DP-T1-RE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SIR188DP-T1-RE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
60A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
44nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
4.9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
65.7W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR188DP-T1-RE3
Product ID
U-3116441
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].