Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6 ROHM SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: QS6K1TR
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6
Tiekėjo specifikacijos
Product code
QS6K1TR
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
QS6K1TR
Product ID
U-2966089
Case
TSMT6
Drain current
1A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
1.7nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
364mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
