Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12 ONSEMI
Prekės kodas: FDMD82100
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12 ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDMD82100
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDMD82100
Product ID
U-2721369
Case
PQFN12
Drain current
25A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
