Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A VISHAY
Prekės kodas: SI3552DV-T1-E3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-22 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2998 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI3552DV-T1-E3
Case
TSOP6
Drain current
2.5/-1.8A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate charge
3.6/3.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
360/175mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.15W
Pulsed drain current
-7...8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI3552DV-T1-E3
Product ID
U-3822838
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
