LEMONA

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair VISHAY

Prekės kodas: SI1016CX-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-9
0.640.64
10-24
0.51
25-99
0.41
100-249
0.31
250+
0.27
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.64
2024-11-15 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-11-15 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2500 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3880092
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SI1016CX-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair

Tiekėjo specifikacijos

Product ID
U-3880092
#Promotion
aac_202202
Case
SC89
Drain current
0.49/-0.49A
Drain-source voltage
20/-20V
Gate charge
2/2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
complementary pair
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
396/756mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.14W
Pulsed drain current
2A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Unit price
No
Version
ESD
Product code
SI1016CX-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1016CX-T1-GE3
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].