LEMONA

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 DIODES INCORPORATED

Prekės kodas: DMP45H4D9HJ3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
1.17
5-24
0.82
25-149
0.73
150-449
0.65
450+
0.61
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

1.17
2024-10-08 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-10-08 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra240 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 DIODES INCORPORATED

Specifikacijos

SKU
U-2876327
Prekinis ženklas
Prekės kodas
DMP45H4D9HJ3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251

Tiekėjo specifikacijos

Product code
DMP45H4D9HJ3
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMP45H4D9HJ3
Product ID
U-2876327
Case
TO251
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-450V
Gate charge
13.7nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
4.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
41W
Pulsed drain current
-22.4A
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].