Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23 VISHAY
Prekės kodas: SI2315BDS-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-11-28 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2730 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
SI2315BDS-T1-GE3
Product ID
U-3822827
Product code
SI2315BDS-T1-GE3
Case
SOT23
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.48W
Pulsed drain current
-12A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
Atsiprašome, prekės nebeturime.