Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8 VISHAY
Prekės kodas: SI4431BDY-T1-E3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-09-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1219 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI4431BDY-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4431BDY-T1-E3
Product ID
U-2960832
Case
SO8
Drain current
-5.7A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.9W
Pulsed drain current
-30A
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
