Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -2A VISHAY
Prekės kodas: SI7317DN-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -2A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI7317DN-T1-GE3
Supplier's product code
SI7317DN-T1-GE3
Product ID
U-3127385
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
-2.8A
Drain-source voltage
-150V
Gate charge
9.8nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.3Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
19.8W
Pulsed drain current
-2A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
