LEMONA

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 INFINEON TECHNOLOGIES

Prekės kodas: IRL6372TRPBF
no gallery
no gallery
INFINEON
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-99
0.99
100-499
0.77
500-999
0.60
1000-1999
0.55
2000+
0.52
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.99
2024-09-06 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-09-06 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra487 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

INFINEON
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 INFINEON TECHNOLOGIES

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-218781
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IRL6372TRPBF

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
IRL6372TRPBF
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IRL6372TRPBF
Product ID
U-218781
Case
SO8
Drain current
8.1A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
17.9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Technology
HEXFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].